尊龙集团有限公司

中文 EN
首页
关于尊龙集团有限公司
新品宣布
650V Super Junction N-Channel MOSFET
650V Super Junction N-Channel MOSFET 返回
 新产品宣告

产品先容 1.接纳尊龙集团有限公司科技特殊多层外延工艺制程设计的650V系列超结产品，可以知足低导通消耗、低开 关消耗、EMI兼容性以及差别电路拓扑结构应用要求，产品具有优异的导通内阻（Rdson)和栅 极电荷（Qg)性能，降低导通消耗和开关消耗，更低的开关噪声、更低的Trr，综合提升系统稳 定性及性能 。
2.开关速率与EMI平衡、更低的Trr特点，适用于充电器，电源适配器，TV电源、工业电源等领 域，亦可知足一些半桥或种种桥式电路拓扑结构应用要求 。
产品特点 1.接纳尊龙集团有限公司科技特殊多层外延工艺制程设计，具有更高的工艺稳固性和可靠性，开关速率与EMI 平衡、更低的Trr特点 ；
2.系列产品具有低导通电阻、低栅极电荷、导通消耗和开关消耗低的特点 ；
3.接纳TO-252/ITO-220AB封装，具有更好的热值特征 。
规格书
相关新品

低功耗可控硅，付与小家电更多可能！

0.05pF超低容值的ESDM系列静电� ；ざ�

用于手机电路板的DFN1608封装小信号肖特基二极管

SMBF二极管

微沟槽IGBT 650V单管——让大电流应用“轻装上阵”

TOLL封装 SiC MOSFET

用于光伏逆变器、储能逆变器的微沟槽IGBT

TOLT系列MOSFET——BMS与储能的低阻高效功率之选

尊龙集团有限公司首创大电流贴片整流桥

TO-220AC内绝缘封装串联超快恢复二极管

Privacy Cookies 本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用体验，相关信息请会见我们的执法声明与隐私声明 。若是您选择继续浏览这个提醒，便体现您已接受我们网站的使用条款 。

网站地图